作为HBM的主要推动者 SK海力士预计HBM3会有665GB/s带宽

高带宽存储器(High Bandwidth Memory)也就是平常称为HBM的DRAM，是基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场景。虽然HBM没有成为显卡的主流DRAM，但是在需要高带宽的数据中心等领域，仍不时见到其身影。近日SK海力士(SK Hynix)公布了HBM3的产品计划，介绍了即将推出的规范和预期带宽等信息。

目前制定HBM标准的JEDEC尚未正式发布HBM3标准规范，SK海力士作为HBM的主要推动者，一直致力于下一代HBM的研发工作。据TomsHardware报道，在SK海力士的网站上，HBM3产品显示正在“研发中”，达到了5.2 Gbps的I/O速度，提供665 GB/s的带宽，这两个数值高于HBM2E的3.6 Gbps和460 GB/s，分别提高了44.4%和44.6%。当然这不是SK海力士对于HBM3的最终目标，已经有其他厂商宣布会拓展到7.2 Gbps的I/O速度。

现在超算或FPGA类的设备会使用4-6个HBM2E堆栈，以获得1.84-2.76 TB/s的带宽。如果更换成HBM3，将得到2.66-3.99 TB/s的带宽。在2020年初，SK海力士从Xperi Corp获得了DBI Ultra 2.5D/3D互连技术的授权，专门用于高带宽内存解决方案，支持2.5D、3D整合封装，还能集成不同尺寸和不同工艺制程的IP模块，可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA和SoC。

SK海力士没有透露HBM3的发布日期，预计不会这么快进入消费级市场应用在显卡上。过往AMD在Radeon显卡上使用了HBM作为显存，但是目前仅计划用在CDNA架构的加速卡上，暂时英特尔和英伟达的规划也和AMD类似。

关键词： SK海力士 HBM 带宽 产品计划